FMUSER 1 cái Mới ban đầu MRF141G Công suất RF MOSFET Transistor-RF Transistor-FMUSER Nhà cung cấp một cửa phát sóng FM / TV

FMUSER 1 cái Mới Ban đầu MRF141G Công suất RF MOSFET Transistor Mô tả Được thiết kế cho các ứng dụng thương mại và quân sự băng thông rộng ở tần số đến 175 MHz. Công suất cao, độ lợi cao và hiệu suất băng thông rộng của thiết bị này đặc biệt hữu ích cho việc phát sóng FM hoặc các máy phát và bộ khuếch đại trạng thái rắn dải tần kênh TV. Các tính năng ● Hiệu suất được đảm bảo ở 175MHz, 28V: ● Công suất đầu ra: 300W ● Độ lợi: 12dB (Loại 14dB) ● Hiệu suất: 50% ● Khả năng chịu nhiệt thấp: 0.35 ° C / W ● Độ bền được thử nghiệm ở công suất đầu ra danh định ● Khuôn thụ động nitride cho đặc điểm kỹ thuật độ tin cậy nâng cao ● Phân cực bóng bán dẫn: Kênh N ● Công nghệ: Si ● Id - Dòng xả liên tục: 32 A

Chi tiết

Trước:BỘ CHUYỂN GIAO MOSFET NGUỒN RF MRF148A

Tiếp theo:BLF878 BỘ CHUYỂN GIAO MOSFET NGUỒN RF

Giá (USD)	Số lượng (PCS)	Vận chuyển (USD)	Tổng (USD)	Phương pháp vận chuyển	THANH TOÁN
168	1	0	168	DHL
				DHL

FMUSER 1 cái Bản gốc Mới MRF141G Bóng bán dẫn MOSFET công suất RF

Mô tả

Được thiết kế cho các ứng dụng thương mại và quân sự băng thông rộng ở tần số đến 175 MHz. Công suất cao, cao tăng và hiệu suất băng thông rộng của thiết bị này đặc biệt hữu ích cho phát sóng FM hoặc tần số kênh TV máy phát và bộ khuếch đại trạng thái rắn băng tần.

Tính năng

●Đảm bảo hiệu suất ở 175MHz, 28V:
●Công suất đầu ra: 300W
●Tăng: 12dB (14dB Typ.)
●Hiệu quả: 50%
●Khả năng chịu nhiệt thấp: 0.35 ° C / W
●Độ bền được kiểm tra ở công suất đầu ra danh định
●Khuôn nitride thụ động để nâng cao độ tin cậy

đặc điểm kỹ thuật
●Transitor phân cực: Kênh N
●Công nghệ: Si
●Id - Dòng xả liên tục: Các 32
●Vds - Điện áp đánh thủng nguồn-xả: 65 V
●Tần suất hoạt động: 175 MHz
●Gain: 12 dB
●Nguồn ra: 300 W
●Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: - 65 độ C
●Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 150c
●Gắn Kiểu: SMD / SMT
●Gói / Vỏ: 375-04
●Pd - Tản điện: 500 W
●Vss - Điện áp cổng nguồn: 40 V

●Vss th - Điện áp ngưỡng cửa nguồn: 3 V