FMUSER Mới ban đầu MRF6V2150NB SMD RF Bóng bán dẫn công suất RF Mô-đun khuếch đại công suất Ống tần số cao Mô-đun khuếch đại công suất MOSFET Transistor-RF Transistor-FMUSER Nhà cung cấp một cửa phát sóng FM / TV

FMUSER Mới ban đầu MRF6V2150NB SMD bóng bán dẫn công suất RF Mô-đun khuếch đại công suất ống cao tần Mô-đun khuếch đại công suất MOSFET Bóng bán dẫn FMUSER mới ban đầu MRF6V2150NB Bóng bán dẫn công suất RF MOSFET được thiết kế chủ yếu cho đầu ra tín hiệu băng rộng lớn và các ứng dụng trình điều khiển với tần số lên đến 450 MHz. Các thiết bị là chưa từng có và phù hợp để sử dụng trong các ứng dụng công nghiệp, y tế và khoa học Chi tiết sản phẩm: Mã sản phẩm: MRF6V2150NB Mô tả: MOSFET băng thông rộng một bên băng thông rộng N-kênh MOSFET, 10-450 MHz, 150 W, 50 V Tính năng: Hiệu suất CW điển hình ở 220 MHz: VDD = 50 Volts, IDQ = 450 mA, Pout = 150 Watts Pow

Chi tiết

Trước:FMUSER Mới ban đầu MRF6VP11KH Công suất Transistor công suất RF MOSFET Transistor

Tiếp theo:FMUSER Mới Ban đầu BLF861A RF UHF Công suất Transistor công suất MOSFET Transistor

Giá (USD)	Số lượng (PCS)	Vận chuyển (USD)	Tổng (USD)	Phương pháp vận chuyển	THANH TOÁN
89	1	0	89	Vận chuyển đường hàng không
				Vận chuyển đường hàng không

FMUSER Mới ban đầu MRF6V2150NB SMD RF Power Ống bóng bán dẫn Ống tần số cao Mô-đun khuếch đại công suất Nguồn điện MOSFET Transistor

FMUSER mới nguyên bản MRF6V2150NB Transistor công suất RF Transistor công suất MOSFET dđược thiết kế chủ yếu cho các ứng dụng đầu ra và trình điều khiển tín hiệu băng rộng lớnvới tần số lên đến 450 MHz. Các thiết bị chưa từng có và phù hợp vớisử dụng trong các ứng dụng công nghiệp, y tế và khoa học

Chi tiết sản phẩm:

PSố nghệ thuật: MRF6V2150NB

Mô tả: MOSFET công suất RF băng thông rộng một đầu kênh N bên, 10-450 MHz, 150 W, 50 V

Tính năng, đặc điểm:

Hiệu suất CW điển hình ở 220 MHz: VDD = 50 Volts, IDQ = 450 mA, Pout = 150 Watts
Tăng công suất: 25.5 dB
Hiệu quả thoát nước: 69%
Có khả năng xử lý VSWR 10: 1, @ 50 Vdc, 210 MHz, 150 Watts
Bảo vệ ESD tích hợp
Tính ổn định nhiệt tuyệt vời
Tạo điều kiện thuận lợi cho các kỹ thuật kiểm soát độ lợi thủ công, ALC và điều chế
Gói nhựa có khả năng 225 ° C
Tuân theo chuẩn RoHS

Thông số chung:

Loại bóng bán dẫn: LDMOS

Công nghệ: Si

Ngành ứng dụng: ISM, Broadcast

Ứng dụng: Khoa học, Y tế

CW / Xung: CW

Tần số: 10 đến 450 MHz

Công suất: 51.76 dBm

Công suất (W): 149.97 W

CW Công suất: 150 W

Tăng công suất (Gp): 23.5 đến 26.5 dB

Suy hao đầu vào trở lại: -17 đến -3 dB

VSWR: 10.00: 1

Phân cực: N-Channel

Điện áp cung cấp: 50 V

Điện áp ngưỡng: 1 đến 3 Vdc

Điện áp sự cố - Xả-Nguồn: 110 V

Điện áp - Cổng-Nguồn (Vgs): - 0.5 đến 12 Vdc

Hiệu quả thoát nước: 0.683

Xả hiện tại: 450 mA

Trở kháng Zs: 50 Ohms

Kháng nhiệt: 0.24 ° C / W

Loại gói: Mặt bích

Đóng gói: CASE 1484--04, PHONG CÁCH 1 ĐẾN - 272 WB - 4 NHỰA

RoHS: Có

Nhiệt độ hoạt động: 150 độ C

Nhiệt độ lưu trữ: -65 đến 150 độ

Gói hàng bao gồm:
1xMRF6V2150NB Transitor điện RF

Giá (USD)	Số lượng (PCS)	Vận chuyển (USD)	Tổng (USD)	Phương pháp vận chuyển	THANH TOÁN
89	1	0	89	Vận chuyển đường hàng không
				Vận chuyển đường hàng không

Trước:FMUSER Mới ban đầu MRF6VP11KH Công suất Transistor công suất RF MOSFET Transistor

Tiếp theo:FMUSER Mới Ban đầu BLF861A RF UHF Công suất Transistor công suất MOSFET Transistor

Để lại lời nhắn

Danh sách tin nhắn

Comment Đang tải ...

danh mục sản phẩm

sản phẩm Thẻ

Fmuser Sites

Chi tiết

Để lại lời nhắn

Danh sách tin nhắn