Thêm yêu thích đặt trang chủ
Chức vụ:Trang Chủ >> Sản phẩm >> RF Transistor

danh mục sản phẩm

sản phẩm Thẻ

Fmuser Sites

FMUSER Bản gốc mới MRF6VP2600H RF Transitor MOS Transitor Transitor 500MHz 600W Băng thông rộng N-Channel bên

FMUSER Original New MRF6VP2600H Bóng bán dẫn công suất RF MOSFET Transistor 500MHz 600W Tổng quan về băng thông rộng bên N-Kênh MRF6VP2600H được thiết kế chủ yếu cho các ứng dụng băng rộng với tần số lên đến 500 MHz. Thiết bị chưa từng có và thích hợp để sử dụng trong các ứng dụng quảng bá. Tính năng * Hiệu suất DVB-T OFDM điển hình: VDD = 50 Volts, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Watts Trung bình, f = 225 MHz, Băng thông kênh = 7.61 MHz, Tín hiệu đầu vào PAR = 9.3 dB @ 0.01% Xác suất trên CCDF. Công suất tăng: 25 dB Hiệu suất căng: 28.5% ACPR @ 4 MHz Chênh lệch: –61 dBc @ 4 kHz Băng thông * Hiệu suất xung điển hình: VDD = 50 Volts, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 Watts Peak, f = 225 MHz, Pulse Width = 100

Chi tiết

Giá (USD) Số lượng (PCS) Vận chuyển (USD) Tổng (USD) Phương pháp vận chuyển THANH TOÁN
245 1 35 280 DHL

 


FMUSER Bản gốc mới MRF6VP2600H Transitor điện RF Transistor MOSFET 500MHz 600W Băng thông rộng bên N-Channel

Giới thiệu chung

MRF6VP2600H được thiết kế chủ yếu cho các ứng dụng băng rộng với tần số lên đến 500 MHz. Thiết bị này là vô song và phù hợp để sử dụng trong các ứng dụng phát sóng.



Tính năng

Hiệu suất DVB-T OFDM điển hình: VDD = 50 Volts, IDQ = 2600 mA, Pout = 125 Watts Trung bình, f = 225 MHz, Băng thông kênh = 7.61 MHz, Tín hiệu đầu vào PAR = 9.3 dB @ 0.01% Khả năng trên CCDF. : 25 dB Hiệu quả truyền nhiệt: 28.5% ACPR @ 4 MHz Chênh lệch: –61 dBc @ 4 kHz Băng thông

Hiệu suất xung điển hình: VDD = 50 Volts, IDQ = 2600 mA, Pout = 600 Watts Peak, f = 225 MHz, Pulse Width = 100 µsec, Duty Cycle = 20% Power Gain: 25.3 dB Hiệu suấtrain: 59%

Có khả năng xử lý 10: 1 VSWR, @ 50 Vdc, 225 MHz, Công suất cực đại 600 Watts, Độ rộng xung = 100etsec, Chu kỳ nhiệm vụ = 20%

Đặc trưng với các thông số trở kháng tín hiệu lớn tương đương sê-ri

Khả năng hoạt động của CW với khả năng làm mát đầy đủ

Đủ điều kiện Hoạt động Tối đa 50 VDD

Bảo vệ ESD tích hợp

Được thiết kế cho hoạt động kéo-kéo

Phạm vi điện áp nguồn mở tiêu cực hơn cho hoạt động C được cải thiện

Tuân theo chuẩn RoHS

Trong băng và cuộn. R6 Suffix = Đơn vị 150 trên mỗi 56 mm, Cuộn 13 inch.



Đặc điểm kỹ thuật

Tần số (Min) (MHz): 2

Tần số (Tối đa) (MHz): 500

Điện áp cung cấp (typ) (V): 50

P1dB (Loại) (dBm): 57.8

P1dB (Loại) (W): 600

Công suất đầu ra (Loại) (W) @ Mức điều chế ở Tín hiệu kiểm tra: 125.0 @ AVG

Tín hiệu kiểm tra: OFDM

Tăng năng lượng (Loại) (dB) @ f (MHz): 25.0 @ 225

Hiệu quả (Loại) (%): 28.5

Nhiệt điện trở (Spec) (℃ / W): 0.2

Phù hợp: chưa từng có

Lớp: AB

Công nghệ chết: LDMOS




 

 

Giá (USD) Số lượng (PCS) Vận chuyển (USD) Tổng (USD) Phương pháp vận chuyển THANH TOÁN
245 1 35 280 DHL

 

Để lại lời nhắn 

Họ tên *
E-mail *
Điện thoại
Địa Chỉ
Xem mã xác minh? Nhấn vào làm mới!
Tin nhắn
 

Danh sách tin nhắn

Comment Đang tải ...
Trang Chủ| Về chúng tôi| Sản phẩm| Tin tức| Tải về| HỖ TRỢ| Phản hồi| Liên hệ| Dịch vụ

Liên hệ: Zoey Zhang Web: www.fmuser.net

Whatsapp / Wechat: +86 183 1924 4009

Skype: tomleequan Email: [email được bảo vệ] 

Facebook: FMUSERBROADCAST Youtube: KHAI THÁC

Địa chỉ bằng tiếng Anh: Room305, HuiLanGe, No.273 HuangPu Road West, TianHe District., Quảng Châu, Trung Quốc, 510620 Địa chỉ bằng tiếng Trung: 广州市天河区黄埔大道西273号惠兰阁305(3E)