Thêm yêu thích đặt trang chủ
Chức vụ:Trang Chủ >> Sản phẩm >> RF Transistor

danh mục sản phẩm

sản phẩm Thẻ

Fmuser Sites

Bộ chuyển đổi hiệu ứng trường băng tần hiệu ứng trường RF hiệu ứng trường băng tần N-kênh SD2941-10 HF / VHF / UHF

FMUSER Original SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFET hiệu ứng trường N-kênh MOS băng thông rộng RF hiệu ứng trường Mô tả SD2941-10 là bóng bán dẫn công suất RF hiệu ứng trường MOS kênh N kênh vàng, được thiết kế để sử dụng trong Các ứng dụng tín hiệu lớn 28 V đến 50 V dc lên đến 230 MHz. Nó cung cấp RDS (bật) thấp hơn 25% so với tiêu chuẩn ngành, với PSAT cao hơn 20% so với thiết bị SD2931-10 của ST. SD2941-10 được đặt trong gói không bệ M174 nhiệt thấp, cung cấp khả năng chịu nhiệt thấp hơn 25% so với tiêu chuẩn công nghiệp, do đó khiến nó trở thành bóng bán dẫn "tốt nhất trong lớp" cho các ứng dụng ISM, nơi độ tin cậy và độ bền là yếu tố quan trọng . Cụ thể

Chi tiết

Giá (USD) Số lượng (PCS) Vận chuyển (USD) Tổng (USD) Phương pháp vận chuyển THANH TOÁN
79 1 0 79 Thư gởi bằng máy bay

 


Bản gốc FMUSER SD2941-10 HF / VHF / UHF MOSFETs Kênh N Hiệu ứng trường MOS Băng thông rộng Hiệu ứng trường điện RF Transistor

Mô tả
SD2941-10 là kênh N kim ​​loại vàng MOS bóng bán dẫn hiệu ứng trường RF, dành cho sử dụng trong các ứng dụng tín hiệu lớn 28 V đến 50 V dc đến 230 MHz. Nó cung cấp 25% RDS (bật) thấp hơn so với tiêu chuẩn ngành, với PSAT cao hơn 20% so với Thiết bị SD2931-10 của ST. SD2941-10 là nằm trong bệ không nhiệt M174 thấp gói, cung cấp 25% kháng nhiệt thấp hơn hơn tiêu chuẩn công nghiệp, do đó khiến nó trở thành Transitor "tốt nhất trong lớp" cho các ứng dụng ISM, trong đó độ tin cậy và độ chắc chắn là rất quan trọng hệ số.


Thông số kỹ thuật

 Danh mục sản phẩm: Transitor RF MOSFET
 Phân cực Transitor: N-Channel
 Id - Dòng xả liên tục: 20 A
 Vds - Điện áp sự cố nguồn thoát: 130 V
 Đạt được: 15.8 dB
 Công suất đầu ra: 175 W
 Nhiệt độ hoạt động tối thiểu: - 65 C
 Nhiệt độ hoạt động tối đa: + 150 C
 Kiểu lắp: SMD / SMT
 Gói / Vỏ: M174
 Bao bì: Số lượng lớn
 Cấu hình: Đơn
 Chiều cao: 7.11 mm
 Thời lượng: 24.89 mm
 Tần số hoạt động: 230 MHz
 Sê-ri: SD2941
 Loại: MOS MOS Power
 Chiều rộng: 12.83 mm
 Chuyển tiếp chuyển tiếp - Tối thiểu: 6 S
 Chế độ kênh: Cải tiến
 Pd - Công suất tiêu tán: 389 W
 Loại sản phẩm: Transitor RF MOSFET
 Số lượng nhà máy: 25
 Tiểu thể loại: MOSFE
 Vss - Điện áp nguồn cổng: 20 V


Tính năng
 Kim loại hóa vàng
 Ổn định nhiệt
 Cấu hình nguồn chung
 KHÔNG = 175 W phút. với mức tăng 15 dB @ 175
MHz, 50 V
 POUT = 135 W kiểu. với mức tăng 14 dB @ 123 MHz,
28 V
 RDS thấp (bật)
 Bao bì tăng cường nhiệt cho thấp hơn
 nhiệt độ đường giao nhau
 Phù hợp với Châu Âu 2002/95 / EC1
Chỉ thị


 

 

Giá (USD) Số lượng (PCS) Vận chuyển (USD) Tổng (USD) Phương pháp vận chuyển THANH TOÁN
79 1 0 79 Thư gởi bằng máy bay

 

Để lại lời nhắn 

Họ tên *
E-mail *
Điện thoại
Địa Chỉ
Xem mã xác minh? Nhấn vào làm mới!
Tin nhắn
 

Danh sách tin nhắn

Comment Đang tải ...
Trang Chủ| Về chúng tôi| Sản phẩm| Tin tức| Tải về| HỖ TRỢ| Phản hồi| Liên hệ| Dịch vụ

Liên hệ: Zoey Zhang Web: www.fmuser.net

Whatsapp / Wechat: +86 183 1924 4009

Skype: tomleequan Email: [email được bảo vệ] 

Facebook: FMUSERBROADCAST Youtube: KHAI THÁC

Địa chỉ bằng tiếng Anh: Room305, HuiLanGe, No.273 HuangPu Road West, TianHe District., Quảng Châu, Trung Quốc, 510620 Địa chỉ bằng tiếng Trung: 广州市天河区黄埔大道西273号惠兰阁305(3E)